SI4963DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4963DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Encapsulados: SO8
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SI4963DY datasheet
si4963dy 2.pdf
Si4963DY Vishay Siliconix Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D Lead (Pb)-Free Version is RoHS Available Compliant 0.033 @ VGS = -4.5 V -6.2 -20 -20 0.050 @ VGS = -2.5 V -5 S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 D1 D2 Top View P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET Ordering Info
si4963dy.pdf
Si4963DY Vishay Siliconix Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.033 @ VGS = -4.5 V -6.2 -20 -20 0.050 @ VGS = - 2.5 V -5 S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top View D1 D2 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Paramet
si4963bdy.pdf
Si4963BDY Vishay Siliconix Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC - 20 0.050 at VGS = - 2.5 V - 5.2 S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 G1 G2 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top View D1 D2 Ordering Informat
si4967dy.pdf
Si4967DY Vishay Siliconix Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.023 at VGS = - 4.5 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 0.030 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.045 at VGS = - 1.8 V - 5.4 S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G
Otros transistores... BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , IRFP450 , BRB50N06 , BRB7N60 , BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 .
History: BUK9514-30 | BR80N08 | FDMS86150 | BUK9510-30 | BUP60
History: BUK9514-30 | BR80N08 | FDMS86150 | BUK9510-30 | BUP60
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Liste
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MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
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