Справочник MOSFET. SI4963DY

 

SI4963DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4963DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для SI4963DY

 

 

SI4963DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  vishay
 si4963dy 2.pdf

SI4963DY SI4963DY

Si4963DYVishay SiliconixDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D Lead (Pb)-Free Version is RoHSAvailableCompliant0.033 @ VGS = -4.5 V-6.2-20-200.050 @ VGS = -2.5 V -5S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25D1 D2Top ViewP-Channel MOSFET P-Channel MOSFETOrdering Info

 ..2. Size:39K  vishay
 si4963dy.pdf

SI4963DY SI4963DY

Si4963DYVishay SiliconixDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.033 @ VGS = -4.5 V-6.2-20-200.050 @ VGS = - 2.5 V -5S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top ViewD1 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramet

 8.1. Size:223K  vishay
 si4963bdy.pdf

SI4963DY SI4963DY

Si4963BDYVishay SiliconixDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.032 at VGS = - 4.5 V - 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC- 200.050 at VGS = - 2.5 V - 5.2S1 S2SO-8S1 1 D18G1 2 D17G1 G2S2 3 D26G2 4 D25Top ViewD1 D2Ordering Informat

 9.1. Size:235K  vishay
 si4967dy.pdf

SI4963DY SI4963DY

Si4967DYVishay SiliconixDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.023 at VGS = - 4.5 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated 0.030 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.045 at VGS = - 1.8 V - 5.4S1 S2SO-8S1 1 D18G

 9.2. Size:237K  vishay
 si4965dy.pdf

SI4963DY SI4963DY

Si4965DYVishay SiliconixDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated0.027 at VGS = - 2.5 V - 8 - 7.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.040 at VGS = - 1.8 V - 5.8S1 S2SO-8S1 1 D18G1

 9.3. Size:238K  vishay
 si4966dy.pdf

SI4963DY SI4963DY

Si4966DYVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET200.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top