BRB50N06 Todos los transistores

 

BRB50N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRB50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de BRB50N06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRB50N06 PDF Specs

 ..1. Size:756K  blue-rocket-elect
 brb50n06.pdf pdf_icon

BRB50N06

BRB50N06(BRCS50N06B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC ... See More ⇒

Otros transistores... AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , SI4963DY , TK10A60D , BRB7N60 , BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 .

History: 2N6756JTX

 

 
Back to Top

 


History: 2N6756JTX

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP4688S | AP4606 | AP4580 | AP4435C | AP4410 | AP4409S | AP4407C | AP4407 | AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882

 


 
.