BRB50N06 Todos los transistores

 

BRB50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRB50N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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BRB50N06 Datasheet (PDF)

1.1. brb50n06.pdf Size:756K _blue-rocket-elect

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BRB50N06(BRCS50N06B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-263 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features R 小,门电荷低,C 小,开关速度快。 DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. 用途 / Applications 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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