BRB50N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRB50N06 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: TO263
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BRB50N06 datasheet
brb50n06.pdf
BRB50N06(BRCS50N06B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Otros transistores... AON6788, CS2N60, CS2N60F, JCS2N60V, JCS2N60R, JCS2N60C, JCS2N60F, SI4963DY, STP80NF70, BRB7N60, BRB7N65, BRB7N80, BRB80N06, BRB80N08, BRB80N10, BRD15P06, BRD17N10
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HAT3029R
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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