BRB50N06 - описание и поиск аналогов

 

BRB50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRB50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для BRB50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB50N06 даташит

 ..1. Size:756K  blue-rocket-elect
 brb50n06.pdf pdf_icon

BRB50N06

BRB50N06(BRCS50N06B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , SI4963DY , TK10A60D , BRB7N60 , BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.