BRD15P06 Todos los transistores

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BRD15P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRD15P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.095 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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BRD15P06 Datasheet (PDF)

1.1. brd15p06.pdf Size:772K _blue-rocket-elect

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BRD15P06(BRCS15P06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 P 沟道 MOS 场效应管。P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features 超高密度设计,低 R 。 DS(on) Super high dense cell design for low RDS(on). 用途 / Applications 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换

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