BRD15P06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRD15P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для BRD15P06
BRD15P06 Datasheet (PDF)
brd15p06.pdf

BRD15P06(BRCS15P06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R DS(on)Super high dense cell design for low RDS(on). / Applications DC/DC
brd15n10.pdf

BRD15N10 Rev.F Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... SI4963DY , BRB50N06 , BRB7N60 , BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , 75N75 , BRD17N10 , BRD18N06 , BRD18P06 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 .
History: IRF1607PBF | 2SK3354S
History: IRF1607PBF | 2SK3354S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet