BRD18P06 Todos los transistores

 

BRD18P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRD18P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de BRD18P06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BRD18P06 datasheet

 ..1. Size:840K  blue-rocket-elect
brd18p06.pdf pdf_icon

BRD18P06

BRD18P06(BRCS18P06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ESD Super high dense cell design for low RDS(on) Rugged and reliable surface mount package ESD protecte

 9.1. Size:1210K  blue-rocket-elect
brd18n06.pdf pdf_icon

BRD18P06

BRD18N06(BRCS18N06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on) Rugged and reliable surface mount package. / Applications

Otros transistores... BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 , BRD18N06 , SI2302 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

Popular searches

irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450

 

 

↑ Back to Top
.