BRD18P06 - описание и поиск аналогов

 

BRD18P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD18P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для BRD18P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD18P06 даташит

 ..1. Size:840K  blue-rocket-elect
 brd18p06.pdf pdf_icon

BRD18P06

BRD18P06(BRCS18P06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ESD Super high dense cell design for low RDS(on) Rugged and reliable surface mount package ESD protecte

 9.1. Size:1210K  blue-rocket-elect
 brd18n06.pdf pdf_icon

BRD18P06

BRD18N06(BRCS18N06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on) Rugged and reliable surface mount package. / Applications

Другие MOSFET... BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 , BRD18N06 , SI2302 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 .

History: JCS2N60F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.