BRD6N60 Todos los transistores

 

BRD6N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRD6N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 45 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRD6N60

 

BRD6N60 Datasheet (PDF)

1.1. brd6n60.pdf Size:751K _blue-rocket-elect

BRD6N60
BRD6N60

BRD6N60(BRCS6N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features DS 之间导通电阻小、低的门槛电压、反向传输电容小、开关速度快、改良了 dv/dt 能力。 Low RDS(ON)、Low gate charge、Low Crss 、Fast switching、Improved dv/dt capability.

5.1. brd6n70.pdf Size:896K _blue-rocket-elect

BRD6N60
BRD6N60

BRD6N70(BRCS6N70D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features 开关速度快,低导通电阻,低栅极电荷,低反向传输电容。 Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. 用途 / Applications 用于小型

Otros transistores... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
Back to Top

 


BRD6N60
  BRD6N60
  BRD6N60
  BRD6N60
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SIZ710DT | SIZ704DT | SIZ702DT | SIZ342DT | SIZ340DT | SIZ300DT | SIX3439K | SISS40DN | SISS23DN | SISA18DN | SISA18ADN | SISA14DN | SISA12DN | SISA12ADN | SISA10DN |

 

 

 
Back to Top