BRD6N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD6N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRD6N60
BRD6N60 Datasheet (PDF)
1.1. brd6n60.pdf 
Size:751K _blue-rocket-elect
BRD6N60(BRCS6N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features DS 之间导通电阻小、低的门槛电压、反向传输电容小、开关速度快、改良了 dv/dt 能力。 Low RDS(ON)、Low gate charge、Low Crss 、Fast switching、Improved dv/dt capability.
5.1. brd6n70.pdf Size:896K _blue-rocket-elect
BRD6N70(BRCS6N70D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features 开关速度快，低导通电阻，低栅极电荷，低反向传输电容。 Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. 用途 / Applications 用于小型
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
