BRD6N60 Todos los transistores

 

BRD6N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRD6N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 45 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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BRD6N60 Datasheet (PDF)

1.1. brd6n60.pdf Size:751K _blue-rocket-elect

BRD6N60
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BRD6N60(BRCS6N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features DS 之间导通电阻小、低的门槛电压、反向传输电容小、开关速度快、改良了 dv/dt 能力。 Low RDS(ON)、Low gate charge、Low Crss 、Fast switching、Improved dv/dt capability.

5.1. brd6n70.pdf Size:896K _blue-rocket-elect

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BRD6N70(BRCS6N70D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features 开关速度快,低导通电阻,低栅极电荷,低反向传输电容。 Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. 用途 / Applications 用于小型

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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