BRD6N60 - описание и поиск аналогов

 

BRD6N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD6N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для BRD6N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD6N60 даташит

 ..1. Size:751K  blue-rocket-elect
 brd6n60.pdf pdf_icon

BRD6N60

BRD6N60(BRCS6N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features DS dv/dt Low RDS(ON) Low gate charge Low Crss Fast switching Improved dv/dt capability.

 9.1. Size:896K  blue-rocket-elect
 brd6n70.pdf pdf_icon

BRD6N60

Другие MOSFET... BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , STP65NF06 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , BRF13N50 .

History: HY3408APS | BFD77 | WMK4N150D1 | WMP10N65C4 | FDD6030BL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.