BRD6N70 Todos los transistores

 

BRD6N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRD6N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 26 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 87.8 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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BRD6N70 Datasheet (PDF)

1.1. brd6n70.pdf Size:896K _blue-rocket-elect

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BRD6N70(BRCS6N70D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features 开关速度快,低导通电阻,低栅极电荷,低反向传输电容。 Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. 用途 / Applications 用于小型

5.1. brd6n60.pdf Size:751K _blue-rocket-elect

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BRD6N70

BRD6N60(BRCS6N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features DS 之间导通电阻小、低的门槛电压、反向传输电容小、开关速度快、改良了 dv/dt 能力。 Low RDS(ON)、Low gate charge、Low Crss 、Fast switching、Improved dv/dt capability.

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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