BRD6N70 Todos los transistores

 

BRD6N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD6N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRD6N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  blue-rocket-elect
 brd6n70.pdf pdf_icon

BRD6N70

BRD6N70(BRCS6N70D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. / Applications

 9.1. Size:751K  blue-rocket-elect
 brd6n60.pdf pdf_icon

BRD6N70

BRD6N60(BRCS6N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features DS dv/dt Low RDS(ON)Low gate chargeLow Crss Fast switchingImproved dv/dt capability.

Otros transistores... BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , IRF9640 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 .

History: BUK9M14-40E | WFY3N02 | APT904R2AN | 2SK1453 | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | CS7002K

 

 
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