Справочник MOSFET. BRD6N70

 

BRD6N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD6N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для BRD6N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD6N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  blue-rocket-elect
 brd6n70.pdf pdf_icon

BRD6N70

BRD6N70(BRCS6N70D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. / Applications

 9.1. Size:751K  blue-rocket-elect
 brd6n60.pdf pdf_icon

BRD6N70

BRD6N60(BRCS6N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features DS dv/dt Low RDS(ON)Low gate chargeLow Crss Fast switchingImproved dv/dt capability.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFN32N60

 

 
Back to Top

 


 
.