CS8205 Todos los transistores

 

CS8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6
 

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CS8205 Datasheet (PDF)

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TPCS8205 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8205 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Notebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 30 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 10 S (typ.) fs Low leakage current: IDSS = 10

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ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com8205ADual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.27.5 @ VG S = 4.0V20V 6A S urface Mount Package.37.5@V G S = 2.5VD1 D2-

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ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8205B MOSFET(N-Channel) FEATURES SOT-23-6VDS=19.5V,ID=6A RDS(ON)

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History: SQM120N03-1M5L | FCD1300N80Z

 

 
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