CS8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6
CS8205 Datasheet (PDF)
tpcs8205.pdf
TPCS8205 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8205 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Notebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 30 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 10 S (typ.) fs Low leakage current: IDSS = 10
cs8205a 6a sot-23-6.pdf
ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com8205ADual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.27.5 @ VG S = 4.0V20V 6A S urface Mount Package.37.5@V G S = 2.5VD1 D2-
cs8205b.pdf
ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8205B MOSFET(N-Channel) FEATURES SOT-23-6VDS=19.5V,ID=6A RDS(ON)
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918