BRI1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRI1N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de BRI1N60 MOSFET
BRI1N60 Datasheet (PDF)
bri1n60.pdf

BRI1N60(BRCS1N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef
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History: SIS402DN | FQPF12P20XDTU | FDMS8320L | KTK597E | 2N70 | SRM10N65TF
History: SIS402DN | FQPF12P20XDTU | FDMS8320L | KTK597E | 2N70 | SRM10N65TF



Liste
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