BRI1N60 Todos los transistores

 

BRI1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRI1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de BRI1N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRI1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  blue-rocket-elect
 bri1n60.pdf pdf_icon

BRI1N60

BRI1N60(BRCS1N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Otros transistores... CS8205 , FS8205A , CS2301 , CS2302 , CS3401 , YW3407 , CS8205B , CS8205A , 2SK3878 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 .

History: JMSH1018AC | 2SJ419 | 2SK829 | SIHG47N60E | 2SK1079

 

 
Back to Top

 


 
.