BRI1N60 - описание и поиск аналогов

 

BRI1N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRI1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для BRI1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI1N60 даташит

 ..1. Size:782K  blue-rocket-elect
 bri1n60.pdf pdf_icon

BRI1N60

BRI1N60(BRCS1N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... CS8205 , FS8205A , CS2301 , CS2302 , CS3401 , YW3407 , CS8205B , CS8205A , P55NF06 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.