Справочник MOSFET. BRI1N60

 

BRI1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  blue-rocket-elect
 bri1n60.pdf pdf_icon

BRI1N60

BRI1N60(BRCS1N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... CS8205 , FS8205A , CS2301 , CS2302 , CS3401 , YW3407 , CS8205B , CS8205A , IRFB4115 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 .

History: FCD1300N80Z | SQM120N03-1M5L

 

 
Back to Top

 


 
.