BRI6N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRI6N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de BRI6N70 MOSFET
BRI6N70 Datasheet (PDF)
bri6n70.pdf

BRI6N70(BRCS6N70I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. / Applications
Otros transistores... BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , 5N60 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 .
History: AMA430N | NCE1570



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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