Справочник MOSFET. BRI6N70

 

BRI6N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI6N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI6N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI6N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:704K  blue-rocket-elect
 bri6n70.pdf pdf_icon

BRI6N70

BRI6N70(BRCS6N70I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. / Applications

Другие MOSFET... BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , 5N60 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 .

History: RUH120N90M

 

 
Back to Top

 


 
.