BRL2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRL2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de BRL2N60 MOSFET
BRL2N60 Datasheet (PDF)
brl2n60.pdf

BRL2N60(CS2N60L) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25
Otros transistores... BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , 12N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 .
History: IRFB830 | FDD86113LZ | G1008 | FDMS3624S | G100N03 | G15P04 | H02N60F
History: IRFB830 | FDD86113LZ | G1008 | FDMS3624S | G100N03 | G15P04 | H02N60F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
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