BRL2N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRL2N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO126
Аналог (замена) для BRL2N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRL2N60 даташит
brl2n60.pdf
BRL2N60(CS2N60L) N-CHANNEL MOSFET/N MOS DC/DC Purpose These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. , , Features Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25
Другие MOSFET... BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , K3569 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 .
History: STF7LN80K5 | 2SK2052 | 4N60KG-TF2-T | 2SK3574-S
History: STF7LN80K5 | 2SK2052 | 4N60KG-TF2-T | 2SK3574-S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440

