BRL2N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRL2N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO126
Аналог (замена) для BRL2N60
BRL2N60 Datasheet (PDF)
brl2n60.pdf

BRL2N60(CS2N60L) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25
Другие MOSFET... BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , 12N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 .
History: FDMS3624S | G1008 | FCD1300N80Z | G100N03 | STP9NB50FP | FDD86113LZ | SMG2305L
History: FDMS3624S | G1008 | FCD1300N80Z | G100N03 | STP9NB50FP | FDD86113LZ | SMG2305L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440