BRM501D Todos los transistores

 

BRM501D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRM501D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BRM501D Datasheet (PDF)

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BRM501D

BRM501D(BRCS501DM) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features ESD V -1.8V GS(th)ESD Improved capability, Depletion mode(VGS(th)=-1.8V,type). / Applications This device is suitable fo

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History: WNM2023 | NTZD3155CT1G

 

 
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