BRM501D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRM501D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.53 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
Encapsulados: SOT23
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BRM501D datasheet
brm501d.pdf
BRM501D(BRCS501DM) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features ESD V -1.8V GS(th) ESD Improved capability, Depletion mode(VGS(th)=-1.8V,type). / Applications This device is suitable fo
Otros transistores... BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , IRFP260 , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 .
History: IPW60R120P7
History: IPW60R120P7
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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