Справочник MOSFET. BRM501D

 

BRM501D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRM501D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для BRM501D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRM501D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  blue-rocket-elect
 brm501d.pdf pdf_icon

BRM501D

BRM501D(BRCS501DM) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features ESD V -1.8V GS(th)ESD Improved capability, Depletion mode(VGS(th)=-1.8V,type). / Applications This device is suitable fo

Другие MOSFET... BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , 8205A , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 .

History: WMM18N50C4 | IRF8788PBF | SL120N03R

 

 
Back to Top

 


 
.