BRM501D - описание и поиск аналогов

 

BRM501D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRM501D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для BRM501D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRM501D даташит

 ..1. Size:427K  blue-rocket-elect
 brm501d.pdf pdf_icon

BRM501D

BRM501D(BRCS501DM) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features ESD V -1.8V GS(th) ESD Improved capability, Depletion mode(VGS(th)=-1.8V,type). / Applications This device is suitable fo

Другие MOSFET... BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , IRFP260 , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 .

History: CM100N03 | 2N65L-TND-R | SGS150MA010D1 | 2SK2027-01 | MMFTN2306

 

 

 

 

↑ Back to Top
.