BRP50N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRP50N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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BRP50N20 Datasheet (PDF)

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brp50n20.pdf

BRP50N20(BRCS50N20P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features Low effective output capacitance, high switch speed. / Applications UPS These devices are well suited for inverterUPS.

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Liste

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