BRP50N20 Todos los transistores

 

BRP50N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRP50N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 70 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 445 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.045 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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BRP50N20 Datasheet (PDF)

1.1. brp50n20.pdf Size:810K _blue-rocket-elect

BRP50N20
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BRP50N20(BRCS50N20P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-3P塑封封装 N 沟MOS 晶体管。N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. 特征 / Features 低反馈电容,开关速度快。 Low effective output capacitance, high switch speed. 用途 / Applications 用于逆变器、UPS 电源。 These devices are well suited for inverter、UPS. 内部

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