BRP50N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRP50N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 445 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3P
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BRP50N20 Datasheet (PDF)
1.1. brp50n20.pdf 
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