BRP50N20 Todos los transistores

 

BRP50N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRP50N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de BRP50N20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRP50N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  blue-rocket-elect
 brp50n20.pdf pdf_icon

BRP50N20

BRP50N20(BRCS50N20P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features Low effective output capacitance, high switch speed. / Applications UPS These devices are well suited for inverterUPS.

Otros transistores... BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , 2SK3568 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 .

History: SI6413DQ | IRHG57110 | D7509 | WMK15N65C2 | IRFR6215 | IRFB4332 | SSF65R120S2

 

 
Back to Top

 


 
.