Справочник MOSFET. BRP50N20

 

BRP50N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRP50N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRP50N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  blue-rocket-elect
 brp50n20.pdf pdf_icon

BRP50N20

BRP50N20(BRCS50N20P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features Low effective output capacitance, high switch speed. / Applications UPS These devices are well suited for inverterUPS.

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK2528-01

 

 
Back to Top

 


 
.