Справочник MOSFET. BRP50N20

 

BRP50N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRP50N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для BRP50N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRP50N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  blue-rocket-elect
 brp50n20.pdf pdf_icon

BRP50N20

BRP50N20(BRCS50N20P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features Low effective output capacitance, high switch speed. / Applications UPS These devices are well suited for inverterUPS.

Другие MOSFET... BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , 2SK3568 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 .

History: SUN82A20CI | WMN80R1K0S | IRLR3105PBF

 

 
Back to Top

 


 
.