BRP50N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRP50N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для BRP50N20
BRP50N20 Datasheet (PDF)
brp50n20.pdf

BRP50N20(BRCS50N20P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features Low effective output capacitance, high switch speed. / Applications UPS These devices are well suited for inverterUPS.
Другие MOSFET... BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , 2SK3568 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet