BRU20N50 Todos los transistores

 

BRU20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRU20N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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BRU20N50 Datasheet (PDF)

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BRU20N50

BRU20N50 Rev.E Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

Otros transistores... BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , RFP50N06 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F , VTI640 , VTI640F .

History: RU4089R | WML10N60C4 | STH410N4F7-2AG | SWD4N65DA | SP8006 | WMM15N65C2 | WPM3012

 

 
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