BRU20N50 Todos los transistores

 

BRU20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRU20N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 400 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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BRU20N50 Datasheet (PDF)

1.1. bru20n50.pdf Size:857K _blue-rocket-elect

BRU20N50
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BRU20N50(BRCS20N50P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-3P塑封封装 N 沟MOS 晶体管。N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. 特征 / Features 低栅极电荷,开关速度快,雪崩能量高,dv/dt 能力强。 Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. 用途 / Applications 用于高电

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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