Справочник MOSFET. BRU20N50

 

BRU20N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRU20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для BRU20N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRU20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:925K  blue-rocket-elect
 bru20n50.pdf pdf_icon

BRU20N50

BRU20N50 Rev.E Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

Другие MOSFET... BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , RFP50N06 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F , VTI640 , VTI640F .

History: STS65R580SS2 | IRFU3709ZC | VN1210N1 | R6035KNZ | WMK80R160S | NCEP050N10M | STP6NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.