VTI640 Todos los transistores

 

VTI640 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VTI640

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO220

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VTI640 datasheet

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VTI640

VTI640(BRCS640R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3 , Typical RDS(on)=0.3 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications , ,DC-DC

 0.1. Size:992K  blue-rocket-elect
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VTI640

Otros transistores... BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F , CS150N03A8 , VTI640F , SSP2N60B , SSS2N60B , 2SK4100LS , 2SK1460 , 2SK2010 , 2SK1033 , 2SK1035 .

History: 2SK3730-01MR | NCE30H12K | 2SK2957L | NTR4101P | SI1028X | NIF5002NT1G | AP4951GM

 

 

 

 

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