Справочник MOSFET. VTI640

 

VTI640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VTI640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для VTI640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VTI640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1269K  blue-rocket-elect
 vti640.pdf pdf_icon

VTI640

VTI640(BRCS640R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3,Typical RDS(on)=0.3,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,,DC-DC

 0.1. Size:992K  blue-rocket-elect
 vti640f.pdf pdf_icon

VTI640

VTI640F(BRCS640F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.15,Typical RDS(on)=0.15,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,,DC-DC

Другие MOSFET... BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F , IRLB4132 , VTI640F , SSP2N60B , SSS2N60B , 2SK4100LS , 2SK1460 , 2SK2010 , 2SK1033 , 2SK1035 .

History: MCD04N65 | HCD60R260 | SI4N60L-TN3-R | SIF10N60C | JCS9N90FT | HUF75343S3ST

 

 
Back to Top

 


 
.