2SK123 Todos los transistores

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2SK123 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK123

Código: 1H

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.002 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1000 Ohm

Empaquetado / Estuche: MINI-TYPE-FLAT

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2SK123 Datasheet (PDF)

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Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK123 2SK123 Silicon N-Channel Junction Unit : mm For impedance conversion in low frequency +0.2 5.8 -0.3 For electret capacitor microphone +0.25 1.5 2.4 0.1 -0.05 1.9 0.1 Features 1 High mutual conductance gm 3 Low noise voltage of NV 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25?C) Parameter Symbol Rating Unit 1 : Drain Drain-Source voltage V

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