2SK123 Todos los transistores

 

2SK123 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK123

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.002 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm

Encapsulados: MINI-TYPE-FLAT

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2SK123 datasheet

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2SK123

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK123 2SK123 Silicon N-Channel Junction Unit mm For impedance conversion in low frequency +0.2 5.8 -0.3 For electret capacitor microphone +0.25 1.5 2.4 0.1 -0.05 1.9 0.1 Features 1 High mutual conductance gm 3 Low noise voltage of NV 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Rating Unit 1 Drain Drain-Source vol

 ..2. Size:41K  panasonic
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2SK123

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0123 (2SK123) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency Unit mm For electret capacitor microphone 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 3 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV 1 2 (0.95) (0.95) 1.9 0.1 2.90+0.20 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 10 Parameter Symbol

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2SK123

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2SK123

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History: WPMD2012 | FHU5N60A | AOD2904 | NTD4904N | AGM612MNA | FX20VSJ-3 | AUIRF7343Q

 

 

 

 

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