2SK123 Todos los transistores

 

2SK123 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK123
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.002 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm
   Paquete / Cubierta: MINI-TYPE-FLAT
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  panasonic
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2SK123

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK1232SK123Silicon N-Channel JunctionUnit : mmFor impedance conversion in low frequency+0.25.8 -0.3For electret capacitor microphone+0.251.52.4 0.1 -0.051.9 0.1 Features 1 High mutual conductance gm3 Low noise voltage of NV2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit1 : DrainDrain-Source vol

 ..2. Size:41K  panasonic
 2sk0123 2sk123.pdf pdf_icon

2SK123

Silicon Junction FETs (Small Signal)2SK0123 (2SK123)Silicon N-Channel Junction FETFor impedance conversion in low frequencyUnit: mmFor electret capacitor microphone0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV1 2(0.95) (0.95)1.90.12.90+0.200.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)10Parameter Symbol

 0.1. Size:45K  sanyo
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2SK123

 0.2. Size:46K  sanyo
 2sk1234.pdf pdf_icon

2SK123

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History: DACMI250N120BZK3 | YJQ20N04A | 2N60L-TF3-T | P9006EDA | HAT2119H | BL30N60-F | KP746B

 

 
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