2SK123 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK123
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.002 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
Тип корпуса: MINI-TYPE-FLAT
Аналог (замена) для 2SK123
2SK123 Datasheet (PDF)
2sk123.pdf

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK1232SK123Silicon N-Channel JunctionUnit : mmFor impedance conversion in low frequency+0.25.8 -0.3For electret capacitor microphone+0.251.52.4 0.1 -0.051.9 0.1 Features 1 High mutual conductance gm3 Low noise voltage of NV2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit1 : DrainDrain-Source vol
2sk0123 2sk123.pdf

Silicon Junction FETs (Small Signal)2SK0123 (2SK123)Silicon N-Channel Junction FETFor impedance conversion in low frequencyUnit: mmFor electret capacitor microphone0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV1 2(0.95) (0.95)1.90.12.90+0.200.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)10Parameter Symbol
Другие MOSFET... 2SK1066 , 2SK1067 , 2SK1068 , 2SK1069 , 2SK1103 , 2SK1104 , 2SK1214 , 2SK1228 , IRFB31N20D , 2SK1233 , 2SK1234 , 2SK1235 , 2SK1236 , 2SK1237 , 2SK1238 , 2SK1239 , 2SK1255 .
History: IRFS3107PBF | UTT80N10 | TPU60R3K4C | LNG06R110 | SVD640S | PS75N75 | STP19N05L
History: IRFS3107PBF | UTT80N10 | TPU60R3K4C | LNG06R110 | SVD640S | PS75N75 | STP19N05L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406