HUF76413D3S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF76413D3S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: TO252AA

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HUF76413D3S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HUF76413D3S datasheet

 4.1. Size:204K  fairchild semi
 huf76413d3-s.pdf pdf_icon

HUF76413D3S

 5.1. Size:617K  fairchild semi
 huf76413dk f085.pdf pdf_icon

HUF76413D3S

October 2010 HUFA76413DK8T_F085 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56m General Description These N-Channel power MOSFETs are manufactured us- Applications ing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Control cess technology achieves the lowest possible on- resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

 6.1. Size:104K  intersil
 huf76413p3.pdf pdf_icon

HUF76413D3S

HUF76413P3 Data Sheet November 1999 File Number 4723.1 22A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.049 , VGS = 10V SOURCE - rDS(ON) = 0.056 , VGS = 5V DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models - Spice and SABER Thermal Im

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HUF76407D3, HUF76407D3S, HUF76407DK8, HUF76407P3, HUF76409D3, HUF76409D3S, HUF76409P3, HUF76413D3, STP75NF75, HUF76413P3, HUF76419D3, HUF76419D3S, HUF76419P3, HUF76419S3S, HUF76423D3, HUF76423D3S, HUF76423P3