HUF76413D3S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUF76413D3S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: TO252AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUF76413D3S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF76413D3S даташит

 4.1. Size:204K  fairchild semi
 huf76413d3-s.pdf pdf_icon

HUF76413D3S

 5.1. Size:617K  fairchild semi
 huf76413dk f085.pdf pdf_icon

HUF76413D3S

October 2010 HUFA76413DK8T_F085 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56m General Description These N-Channel power MOSFETs are manufactured us- Applications ing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Control cess technology achieves the lowest possible on- resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

 6.1. Size:104K  intersil
 huf76413p3.pdf pdf_icon

HUF76413D3S

HUF76413P3 Data Sheet November 1999 File Number 4723.1 22A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.049 , VGS = 10V SOURCE - rDS(ON) = 0.056 , VGS = 5V DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models - Spice and SABER Thermal Im

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUF76407D3, HUF76407D3S, HUF76407DK8, HUF76407P3, HUF76409D3, HUF76409D3S, HUF76409P3, HUF76413D3, STP75NF75, HUF76413P3, HUF76419D3, HUF76419D3S, HUF76419P3, HUF76419S3S, HUF76423D3, HUF76423D3S, HUF76423P3