SSF1341 Todos los transistores

 

SSF1341 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF1341

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SSF1341 datasheet

 ..1. Size:369K  silikron
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SSF1341

SSF1341 D DESCRIPTION The SSF1341 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable G for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -12V,ID = -3.5A RDS(ON)

 9.1. Size:393K  secos
ssf1331p.pdf pdf_icon

SSF1341

SSF1331P -1.5A, -30V, RDS(on) 0.112 P-Channel MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a SOT-323 high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters

 9.2. Size:448K  secos
ssf1321p.pdf pdf_icon

SSF1341

SSF1321P -1.7A, -20V, RDS(on) 0.079 P-Channel MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low SOT-323 RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters

 9.3. Size:393K  secos
ssf1320n.pdf pdf_icon

SSF1341

SSF1320N 2A , 20V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs A utilize a high cell density trench process to provide low L 3 RDS(ON) and to ensure minimal power loss and heat dissipation.

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