SSF1341. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSF1341
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SSF1341
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSF1341 даташит
ssf1341.pdf
SSF1341 D DESCRIPTION The SSF1341 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable G for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -12V,ID = -3.5A RDS(ON)
ssf1331p.pdf
SSF1331P -1.5A, -30V, RDS(on) 0.112 P-Channel MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a SOT-323 high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters
ssf1321p.pdf
SSF1321P -1.7A, -20V, RDS(on) 0.079 P-Channel MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low SOT-323 RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters
ssf1320n.pdf
SSF1320N 2A , 20V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs A utilize a high cell density trench process to provide low L 3 RDS(ON) and to ensure minimal power loss and heat dissipation.
Другие IGBT... SSF11NS65F, SSF11NS65U, SSF11NS65UD, SSF11NS70UF, SSF11NS70UG, SSF1221J2, SSF12N60F, SSF12N65F, AOD4184A, SSF13N50, SSF13N50F, SSF1502D, SSF1502G5, SSF1504D, SSF1526, SSF1530, SSF18N50F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent






