2N7057 Todos los transistores

 

2N7057 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7057

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 40 V

Corriente continua de drenaje (Id): 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO218

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7057

 

2N7057 Datasheet (PDF)

5.1. 2n705.pdf Size:276K _rca

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5.2. 2n7052 nzt7053 2n7053.pdf Size:314K _fairchild_semi

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Discrete POWER & Signal Technologies 2N7052 2N7053 NZT7053 C E C C TO-92 B B TO-226 C E SOT-223 B E NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO C

 5.3. 2n7051.pdf Size:27K _fairchild_semi

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2N7051 NPN Darlington Transistor • This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage. • Sourced from Process 06. • See 2N7052 for Characteristics. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* TA=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings

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