Справочник MOSFET. 2N7057

 

2N7057 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N7057

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 3300 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO218

Аналог (замена) для 2N7057

 

 

2N7057 Datasheet (PDF)

5.1. 2n705.pdf Size:276K _rca

2N7057



5.2. 2n7052 nzt7053 2n7053.pdf Size:314K _fairchild_semi

2N7057
2N7057

Discrete POWER & Signal Technologies 2N7052 2N7053 NZT7053 C E C C TO-92 B B TO-226 C E SOT-223 B E NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO C

 5.3. 2n7051.pdf Size:27K _fairchild_semi

2N7057
2N7057

2N7051 NPN Darlington Transistor • This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage. • Sourced from Process 06. • See 2N7052 for Characteristics. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* TA=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings

Другие MOSFET... 2N7008 , 2N7012 , 2N7013 , 2N7014 , 2N7016 , 2N7022 , 2N7054 , 2N7055 , IRF150 , 2N7058 , 2N7060 , 2N7061 , 2N7063 , 2N7064 , 2N7066 , 2N7071 , 2N7072 .

 

 
Back to Top