SSF3117 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF3117

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

 Búsqueda de reemplazo de SSF3117 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSF3117 datasheet

 ..1. Size:286K  silikron
 ssf3117.pdf pdf_icon

SSF3117

SSF3117 DESCRIPTION The SSF3117 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -3.3A RDS(ON)

Otros transistores... SSF3018, SSF3018D, SSF3028C1, SSF3036C, SSF3051G7, SSF3055, SSF3056C, SSF3092G1, IRF2807, SSF32E0E, SSF3314E, SSF3322, SSF3324, SSF3338, SSF3339, SSF3341, SSF3341L