SSF3117 Todos los transistores

 

SSF3117 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF3117
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
 

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SSF3117 Datasheet (PDF)

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SSF3117

SSF3117 DESCRIPTION The SSF3117 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -3.3A RDS(ON)

Otros transistores... SSF3018 , SSF3018D , SSF3028C1 , SSF3036C , SSF3051G7 , SSF3055 , SSF3056C , SSF3092G1 , IRFB31N20D , SSF32E0E , SSF3314E , SSF3322 , SSF3324 , SSF3338 , SSF3339 , SSF3341 , SSF3341L .

History: MMBF4119 | SM6A22NSF

 

 
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