SSF3117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF3117

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для SSF3117

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF3117 даташит

 ..1. Size:286K  silikron
 ssf3117.pdf pdf_icon

SSF3117

SSF3117 DESCRIPTION The SSF3117 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -3.3A RDS(ON)

Другие IGBT... SSF3018, SSF3018D, SSF3028C1, SSF3036C, SSF3051G7, SSF3055, SSF3056C, SSF3092G1, IRF2807, SSF32E0E, SSF3314E, SSF3322, SSF3324, SSF3338, SSF3339, SSF3341, SSF3341L