Справочник MOSFET. SSF3117

 

SSF3117 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF3117
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для SSF3117

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF3117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  silikron
 ssf3117.pdf pdf_icon

SSF3117

SSF3117 DESCRIPTION The SSF3117 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -3.3A RDS(ON)

Другие MOSFET... SSF3018 , SSF3018D , SSF3028C1 , SSF3036C , SSF3051G7 , SSF3055 , SSF3056C , SSF3092G1 , IRFB31N20D , SSF32E0E , SSF3314E , SSF3322 , SSF3324 , SSF3338 , SSF3339 , SSF3341 , SSF3341L .

History: STD70NH02LT4 | CED07N65A | RS1E150GN | AOB27S60 | APT44F80B2 | DCC016M120G2 | CS7N65A4TDY

 

 
Back to Top

 


 
.