SSF3428 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF3428
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF3428
SSF3428 Datasheet (PDF)
ssf3428.pdf
SSF3428 DESCRIPTION The SSF3428 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6A RDS(ON)
ssf3420.pdf
SSF3420 D DESCRIPTION The SSF3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6.3A RDS(ON)
ssf3402.pdf
SSF3402 DDESCRIPTION The SSF3402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), Glow gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID = 5A RDS(ON)
ssf3416.pdf
SSF3416 D DESCRIPTION The SSF3416 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =9A RDS(ON)
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Liste
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