SSF3428 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSF3428
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.034 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
SSF3428 Datasheet (PDF)
ssf3428.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSF3428 DESCRIPTION The SSF3428 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6A RDS(ON)
ssf3420.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSF3420 D DESCRIPTION The SSF3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6.3A RDS(ON)
ssf3402.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSF3402 DDESCRIPTION The SSF3402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), Glow gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID = 5A RDS(ON)
ssf3416.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSF3416 D DESCRIPTION The SSF3416 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =9A RDS(ON)
Другие MOSFET... SSF3338 , SSF3339 , SSF3341 , SSF3341L , SSF3365 , SSF3402 , SSF3416 , SSF3420 , CEP83A3 , SSF3604 , SSF3605S , SSF3606 , SSF3610 , SSF3610E , SSF3611E , SSF3612 , SSF3615 .