SSF3N80D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF3N80D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF3N80D

SSF3N80D Datasheet (PDF)

..1. Size:462K silikron
ssf3n80d.pdf

SSF3N80D Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 3A Marking and p in TO-252 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

7.1. Size:534K silikron
ssf3n80f.pdf

SSF3N80F Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 3.7 (typ.) ID 3A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

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Liste

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