SSF3N80D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSF3N80D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50.4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
Тип корпуса: TO252
SSF3N80D Datasheet (PDF)
ssf3n80d.pdf
SSF3N80D Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 3A Marking and p in TO-252 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
ssf3n80f.pdf
SSF3N80F Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 3.7 (typ.) ID 3A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918