Справочник MOSFET. SSF3N80D

 

SSF3N80D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF3N80D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF3N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  silikron
 ssf3n80d.pdf pdf_icon

SSF3N80D

SSF3N80D Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 3A Marking and p in TO-252 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:534K  silikron
 ssf3n80f.pdf pdf_icon

SSF3N80D

SSF3N80F Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 3.7 (typ.) ID 3A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

Другие MOSFET... SSF3637 , SSF3637S , SSF3639C , SSF3641 , SSF3745 , SSF3904A , SSF3944J7-HF , SSF3960J7-HF , IRF540N , SSF3N80F , SSF4004 , SSF4004S , SSF4015 , SSF4031C1 , SSF4032CH3 , SSF4203 , SSF4414 .

 

 
Back to Top

 


 
.