SSF4953 Todos los transistores

 

SSF4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SSF4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  silikron
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SSF4953

SSF4953D1D2DESCRIPTION The SSF4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G1 G2been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES D1 D1 D2 D2VDS = -30V,ID = -5.3A 7 6 58RDS(ON)

Otros transistores... SSF4414 , SSF4604 , SSF4606 , SSF4607D , SSF4624 , SSF4703 , SSF4703DC , SSF47NS60H , IRF9540 , SSF4N60 , SSF4N60D , SSF4N60F , SSF4N60G , SSF4NS60D , SSF53A0E , SSF5506 , SSF5508A .

History: WNMD2173 | SIR626DP | CS37N5 | APT10090BLL | 2N6659-2 | IRF6648PBF

 

 
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