SSF4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF4953

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SSF4953 datasheet

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SSF4953

SSF4953 D1 D2 DESCRIPTION The SSF4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G1 G2 been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S1 S2 Schematic diagram GENERAL FEATURES D1 D1 D2 D2 VDS = -30V,ID = -5.3A 7 6 5 8 RDS(ON)

Otros transistores... SSF4414, SSF4604, SSF4606, SSF4607D, SSF4624, SSF4703, SSF4703DC, SSF47NS60H, 2N7000, SSF4N60, SSF4N60D, SSF4N60F, SSF4N60G, SSF4NS60D, SSF53A0E, SSF5506, SSF5508A