Справочник MOSFET. SSF4953

 

SSF4953 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SSF4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  silikron
 ssf4953.pdf pdf_icon

SSF4953

SSF4953D1D2DESCRIPTION The SSF4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G1 G2been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES D1 D1 D2 D2VDS = -30V,ID = -5.3A 7 6 58RDS(ON)

Другие MOSFET... SSF4414 , SSF4604 , SSF4606 , SSF4607D , SSF4624 , SSF4703 , SSF4703DC , SSF47NS60H , IRF9540 , SSF4N60 , SSF4N60D , SSF4N60F , SSF4N60G , SSF4NS60D , SSF53A0E , SSF5506 , SSF5508A .

History: CS3205 | SFF80N20PUB | APT47N65BC3

 

 
Back to Top

 


 
.