SSF4953. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF4953

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SSF4953

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF4953 даташит

 ..1. Size:716K  silikron
 ssf4953.pdf pdf_icon

SSF4953

SSF4953 D1 D2 DESCRIPTION The SSF4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G1 G2 been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S1 S2 Schematic diagram GENERAL FEATURES D1 D1 D2 D2 VDS = -30V,ID = -5.3A 7 6 5 8 RDS(ON)

Другие IGBT... SSF4414, SSF4604, SSF4606, SSF4607D, SSF4624, SSF4703, SSF4703DC, SSF47NS60H, 2N7000, SSF4N60, SSF4N60D, SSF4N60F, SSF4N60G, SSF4NS60D, SSF53A0E, SSF5506, SSF5508A