SSF53A0E Todos los transistores

 

SSF53A0E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF53A0E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3L
 

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SSF53A0E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  silikron
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SSF53A0E

SSF53A0E GENERAL FEATURES VDS = 50V,ID = 0.22A RDS(ON)

Otros transistores... SSF4703DC , SSF47NS60H , SSF4953 , SSF4N60 , SSF4N60D , SSF4N60F , SSF4N60G , SSF4NS60D , K3569 , SSF5506 , SSF5508A , SSF5508U , SSF5N50D , SSF5N60D , SSF5N60F , SSF5N60G , SSF5NS50U .

History: SWP3205 | KML0D4N20TV | 2SK1582 | ISCPL322D | NTR4170NT1G

 

 
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