Справочник MOSFET. SSF53A0E

 

SSF53A0E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF53A0E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.22 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.7 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 15 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3L

 Аналог (замена) для SSF53A0E

 

 

SSF53A0E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  silikron
ssf53a0e.pdf

SSF53A0E
SSF53A0E

SSF53A0E GENERAL FEATURES VDS = 50V,ID = 0.22A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top