SSF53A0E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF53A0E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: SOT23-3L

Аналог (замена) для SSF53A0E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF53A0E даташит

 ..1. Size:253K  silikron
 ssf53a0e.pdf pdf_icon

SSF53A0E

SSF53A0E GENERAL FEATURES VDS = 50V,ID = 0.22A RDS(ON)

Другие IGBT... SSF4703DC, SSF47NS60H, SSF4953, SSF4N60, SSF4N60D, SSF4N60F, SSF4N60G, SSF4NS60D, IRF9540, SSF5506, SSF5508A, SSF5508U, SSF5N50D, SSF5N60D, SSF5N60F, SSF5N60G, SSF5NS50U