Справочник MOSFET. SSF53A0E

 

SSF53A0E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF53A0E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3L
 

 Аналог (замена) для SSF53A0E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF53A0E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  silikron
ssf53a0e.pdfpdf_icon

SSF53A0E

SSF53A0E GENERAL FEATURES VDS = 50V,ID = 0.22A RDS(ON)

Другие MOSFET... SSF4703DC , SSF47NS60H , SSF4953 , SSF4N60 , SSF4N60D , SSF4N60F , SSF4N60G , SSF4NS60D , K3569 , SSF5506 , SSF5508A , SSF5508U , SSF5N50D , SSF5N60D , SSF5N60F , SSF5N60G , SSF5NS50U .

History: AMA2N7002

 

 
Back to Top

 


 
.