Справочник MOSFET. SSF53A0E

 

SSF53A0E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF53A0E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF53A0E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  silikron
ssf53a0e.pdfpdf_icon

SSF53A0E

SSF53A0E GENERAL FEATURES VDS = 50V,ID = 0.22A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP3N80K5 | 2SK3430-ZJ | IXTH80N65X2 | R6535KNZ1 | FDJ128N | HM4264B | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.