SSF5N60G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF5N60G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66.65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm

Encapsulados: IPAK

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SSF5N60G datasheet

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SSF5N60G

SSF5N60G Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 1.88 (typ.) ID 5A TO-251 Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

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SSF5N60G

SSF5N60D Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 1.88 (typ.) ID 5A TO-252 Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

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SSF5N60G

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