SSF6401 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF6401

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SSF6401 datasheet

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SSF6401

SSF6401 D DESCRIPTION The SSF6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G with gate voltages as low as -0.4V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

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