SSF6401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF6401
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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SSF6401 Datasheet (PDF)

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ssf6401.pdf

SSF6401DDESCRIPTION The SSF6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation Gwith gate voltages as low as -0.4V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

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History: HY1908PM

Liste

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