Справочник MOSFET. SSF6401

 

SSF6401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF6401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SSF6401

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  silikron
 ssf6401.pdf pdf_icon

SSF6401

SSF6401DDESCRIPTION The SSF6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation Gwith gate voltages as low as -0.4V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

Другие MOSFET... SSF6014A , SSF6014D , SSF6014J7 , SSF6014J8 , SSF6025 , SSF6072G5 , SSF6092G1 , SSF6114 , 75N75 , SSF6646 , SSF6670 , SSF6808 , SSF6808A , SSF6808D , SSF6814 , SSF6816 , SSF6908 .

History: SHDCG225715 | IRL3705ZSPBF | IXFA110N15T2 | HS50N06DA | SSD2504S | SJMN099R65SW | SSP80R380S2

 

 
Back to Top

 


 
.