SSF6401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF6401

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SSF6401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6401 даташит

 ..1. Size:508K  silikron
 ssf6401.pdf pdf_icon

SSF6401

SSF6401 D DESCRIPTION The SSF6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G with gate voltages as low as -0.4V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

Другие IGBT... SSF6014A, SSF6014D, SSF6014J7, SSF6014J8, SSF6025, SSF6072G5, SSF6092G1, SSF6114, 18N50, SSF6646, SSF6670, SSF6808, SSF6808A, SSF6808D, SSF6814, SSF6816, SSF6908