SSF6670 Todos los transistores

 

SSF6670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF6670
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SSF6670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  silikron
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SSF6670

SSF6670 DESCRIPTION The SSF6670 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =3.5A R

 9.1. Size:331K  silikron
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SSF6670

SSF6646 DESCRIPTION The SSF6646 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =4.5A R

Otros transistores... SSF6014J7 , SSF6014J8 , SSF6025 , SSF6072G5 , SSF6092G1 , SSF6114 , SSF6401 , SSF6646 , CS150N03A8 , SSF6808 , SSF6808A , SSF6808D , SSF6814 , SSF6816 , SSF6908 , SSF6N40D , SSF6N60G .

History: SI7252DP | CRTD055N03L | SIS778DN | SIS782DN | IRFB4310Z | PHP45NQ10T | IRF3707Z

 

 
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