SSF6670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF6670
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF6670

SSF6670 Datasheet (PDF)

..1. Size:453K silikron
ssf6670.pdf

SSF6670 DESCRIPTION The SSF6670 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =3.5A R

9.1. Size:331K silikron
ssf6646.pdf

SSF6646 DESCRIPTION The SSF6646 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =4.5A R

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History: 2SK3502-01MR | CEM3032

Liste

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