SSF6670 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF6670

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de SSF6670 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSF6670 datasheet

 ..1. Size:453K  silikron
 ssf6670.pdf pdf_icon

SSF6670

SSF6670 DESCRIPTION The SSF6670 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =3.5A R

 9.1. Size:331K  silikron
 ssf6646.pdf pdf_icon

SSF6670

SSF6646 DESCRIPTION The SSF6646 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =4.5A R

Otros transistores... SSF6014J7, SSF6014J8, SSF6025, SSF6072G5, SSF6092G1, SSF6114, SSF6401, SSF6646, IRF520, SSF6808, SSF6808A, SSF6808D, SSF6814, SSF6816, SSF6908, SSF6N40D, SSF6N60G